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- 全球碳化硅器件市場(chǎng)規(guī)模及外延所占成本結(jié)構(gòu)[ 05-30 15:56 ]
- 根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院提供數(shù)據(jù)，2018年和2021年碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模分別約4億和9.3億美元，復(fù)合增速約32.4%，按照該復(fù)合增速，預(yù)計(jì)2022年碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模約10.9億美元。受益于5G通信、國(guó)防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展，碳化硅器件市場(chǎng)規(guī)模增速可觀。 從碳化硅器件的制造成本結(jié)構(gòu)來(lái)看，襯底成本最大，占比達(dá)47%；其次是外延成本，占比為23%。這兩大工序是碳化硅器件的重要組成部分。
- 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的“中堅(jiān)力量”：外延生長(zhǎng)[ 05-28 15:42 ]
- 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底制備、外延生長(zhǎng)、器件制造、模塊封測(cè)和系統(tǒng)應(yīng)用等幾個(gè)重要的環(huán)節(jié)。碳化硅器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，無(wú)法直接在碳化硅單晶材料上制備，需在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。外延生長(zhǎng)作為承上啟下的重要環(huán)節(jié)，是產(chǎn)業(yè)鏈的中堅(jiān)力量。 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底制備、外延生長(zhǎng)、器件制造、模塊封測(cè)和系統(tǒng)應(yīng)用等幾個(gè)重要的環(huán)節(jié)。碳化硅器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，無(wú)法直接在碳化硅單晶材料上制備，需在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各
- 昭和電工（SDK）實(shí)施8英寸碳化硅晶圓技術(shù)開發(fā)9年計(jì)劃[ 05-27 16:39 ]
- 據(jù)粉體圈消息：5月23日,昭和電工（SDK）提出的“8英寸SiC晶圓技術(shù)開發(fā)計(jì)劃”被日本新能源和工業(yè)技術(shù)開發(fā)組織(NEDO)選定為“綠色創(chuàng)新基金項(xiàng)目”。而就在今年3月，昭和電工剛剛宣布正式量產(chǎn)直徑6英寸(150mm)的碳化硅晶圓。 2020年10月，日本政府宣布其目標(biāo)是到2050年實(shí)現(xiàn)碳中和。能源、貿(mào)易和工業(yè)部(METI)為此設(shè)立2萬(wàn)億日元的綠色創(chuàng)新基金，并由NEDO出面對(duì)創(chuàng)新進(jìn)行相應(yīng)的投資。 作為獨(dú)立的SiC外延片供應(yīng)商，SDK為功率器件制造商提供Bes
- 露笑科技有望成為國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅襯底規(guī)模供應(yīng)廠商[ 05-26 17:34 ]
- 據(jù)粉體圈消息：日前，證監(jiān)會(huì)發(fā)行審核委員會(huì)通過(guò)了露笑科技擬非公開發(fā)行股票募資不超過(guò)25.67億元的定增預(yù)案，主要用于新建碳化硅產(chǎn)業(yè)園及大尺寸碳化硅襯底片研發(fā)中心。 近年來(lái)我國(guó)碳化硅器件廠商的原材料供應(yīng)受到較大程度的制約，下游市場(chǎng)尤其汽車市場(chǎng)對(duì)碳化硅半導(dǎo)體需求的走強(qiáng)，出現(xiàn)了供不應(yīng)求的局面。提高碳化硅襯底材料的國(guó)產(chǎn)化率、實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代是我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)亟需突破的產(chǎn)業(yè)瓶頸。但是碳化硅襯底材料制造的技術(shù)門檻較高，國(guó)內(nèi)能夠向企業(yè)用戶穩(wěn)定供應(yīng)6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)廠商相對(duì)有限。 據(jù)悉，露笑科技本次募投項(xiàng)目完成后將形
- 碳化硅晶片去除表面損傷的4種常用方法[ 05-25 15:30 ]
- 碳化硅單晶生長(zhǎng)之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標(biāo)準(zhǔn)的圓柱體，線切割會(huì)把晶碇切割成晶片，各種表征保證加工的方向，而拋光則是提高晶片的質(zhì)量。 晶片的表面會(huì)有損傷，損傷源于本來(lái)晶體生長(zhǎng)的缺陷、前面加工步驟中的破壞。對(duì)于局部損傷，世界上有四種方法：不管、更換、修補(bǔ)、去除；對(duì)于碳化硅表面的損傷層，不管不顧肯定不行，因?yàn)闀?huì)影響器件的成品率；更換晶片，不就是砸自己的飯碗嘛；修補(bǔ)其實(shí)是再次生長(zhǎng)，現(xiàn)在沒有低成本的方案；而去除是一條還算可行的，用一定的材料廢棄，來(lái)提高總體材料
