- 碳化硅單晶生長爐制造技術(shù)[ 03-12 15:37 ]
- 碳化硅長晶爐是晶體制備的載體,也是晶體生長核心技術(shù)中的熱場和工藝的重要組成部分。針對不同尺寸、不同導(dǎo)電性能的碳化硅單晶襯底,碳化硅長晶爐需要實(shí)現(xiàn)高真空度、低真空漏率等各項(xiàng)性能指標(biāo),為高質(zhì)量晶體生長提供適合的熱場實(shí)現(xiàn)條件。 碳化硅單晶生長熱場是碳化硅單晶生長的核心,決定了單晶生長中溫度的軸向和徑向梯度、氣相流場等關(guān)鍵反應(yīng)條件。熱場的配置核心是設(shè)置合理的軸向溫度梯度和徑向溫度梯度,以保證熱場內(nèi)生長的晶體具有較小的原生內(nèi)應(yīng)力,同時具備合理可控的生長速率。
- 碳化硅半導(dǎo)體納入國家“十四五”規(guī)劃重點(diǎn)支持領(lǐng)域[ 03-11 15:24 ]
- 我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域,隨著國家“新基建”戰(zhàn)略的實(shí)施,碳化硅半導(dǎo)體將在5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。晶片(襯底)作為碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)材料,具有較高的應(yīng)用前景和產(chǎn)業(yè)價值,在我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中具有重要的戰(zhàn)略地位。 碳化硅晶片產(chǎn)品尺寸越大、技術(shù)參數(shù)水平越高,其技術(shù)優(yōu)勢越明顯,長期以來,碳化硅晶片的核心技術(shù)和市場基本被歐美發(fā)達(dá)國家壟斷,這無疑突出了一個事實(shí),即
- 碳化硅作為強(qiáng)共價鍵化合物所具有的顯著特點(diǎn)[ 03-10 15:20 ]
- 碳化硅是一種強(qiáng)共價鍵化合物,具有以下顯著特點(diǎn): 1)密度低、彈性模量高; 2)硬度高,耐磨損性能好; 3)化學(xué)穩(wěn)定性好,耐腐蝕性能優(yōu)異; 4)高溫強(qiáng)度高、抗蠕變性好; 5)電阻率可控,具有半導(dǎo)體特性; 6)熱膨脹系數(shù)低、熱導(dǎo)率高。
- 碳化硅聚焦環(huán)陶瓷材料[ 03-09 17:16 ]
- 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,等離子體刻蝕逐漸成為半導(dǎo)體制造工藝廣泛應(yīng)用的技術(shù)。等離子體刻蝕產(chǎn)生的等離子體具有很強(qiáng)的腐蝕性,在刻蝕晶圓的過程中也會對工藝腔腔體和腔體內(nèi)部件造成嚴(yán)重腐蝕,所以半導(dǎo)體加工設(shè)備中與等離子體接觸的部件需要有較好的耐等離子體刻蝕性能。 相對于有機(jī)和金屬材料,陶瓷材料一般都具有較好的耐物理和化學(xué)腐蝕性能以及很高的工作溫度,因而在半導(dǎo)體工業(yè)中,多種陶瓷材料已成為半導(dǎo)體單晶硅片制造工序和前道加工工序的設(shè)備核心部件制造材料,如SiC,AlN,Al2O3和Y2O3等。在等離子環(huán)境中陶瓷材料的選擇取決于核心
- 山東金蒙新材料董事長胡尊奎 再次榮獲“臨沭縣優(yōu)秀企業(yè)家”榮譽(yù)稱號[ 03-06 17:26 ]
- 3月5日,在臨沭縣工業(yè)振興暨優(yōu)化發(fā)展環(huán)境大會上,山東金蒙新材料股份有限公司董事長胡尊奎再次榮獲“臨沭縣優(yōu)秀企業(yè)家”榮譽(yù)稱號,再塑榜樣力量。 山東金蒙新材料股份有限公司作為根植紅色沂蒙大地,生長在共和國旗幟下的國家高新技術(shù)企業(yè),始終堅(jiān)持創(chuàng)新精神為企業(yè)內(nèi)核,把創(chuàng)新基因融入發(fā)展血脈,在董事長胡尊奎的帶領(lǐng)下,凝心聚力,昂揚(yáng)奮進(jìn),以可持續(xù)發(fā)展為導(dǎo)向,高效率把科研成果轉(zhuǎn)化為市場“緊俏”產(chǎn)品,為企業(yè)發(fā)展賦能,為全縣創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展做出示范,當(dāng)好